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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
63
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3226
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Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
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