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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
101
En 72% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
101
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
1313
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
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