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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
101
左右 72% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
101
读取速度,GB/s
9.4
14.2
写入速度,GB/s
5.5
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
1313
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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