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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En 46% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.4
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
52
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
2384
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
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