RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Compara
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
54
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,781.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
46
Velocidad de lectura, GB/s
4,269.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,781.8
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
618
2660
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link