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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
63
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
59
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2727
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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