RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
25.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
63
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.4
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
25.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
18.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3903
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link