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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
63
En -174% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2963
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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