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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
63
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3199
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Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
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