RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
63
En -215% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3287
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link