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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
63
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3327
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
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