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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
63
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2939
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
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