RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
63
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2978
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link