RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
63
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3302
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link