RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
63
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
4122
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link