RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
63
En -186% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3192
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link