RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
63
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2486
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link