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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
63
67
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
67
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2027
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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