RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
63
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
46
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3168
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link