RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
63
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.6
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
8.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2079
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link