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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
63
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.4
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2200
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
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