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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
63
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2815
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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AMD AE34G2139U2 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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