RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
63
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3093
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link