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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
63
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
45
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2281
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
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