RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
63
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2489
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link