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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
63
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2436
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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