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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
63
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
49
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2277
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
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Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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