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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
63
En -186% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2272
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
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