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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
63
En -215% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3404
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
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Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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