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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
63
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3910
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
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