RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
63
En -186% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2611
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link