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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
63
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3167
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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