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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
63
64
En 2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
64
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2052
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
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