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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
63
72
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
72
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
1817
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston 9905700-072.A01G 16GB
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Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
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