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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
63
En -174% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2442
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
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Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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