RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
63
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2419
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link