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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
63
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2828
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
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Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
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