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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
63
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3098
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
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