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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Compara
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
24.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
20.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
4156
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
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