RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Compara
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Puntuación global
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
31
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.4
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.1
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
22.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
20.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
4421
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link