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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Compara
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Puntuación global
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Razones a tener en cuenta
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
2865
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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