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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Compara
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
32
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
2434
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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