RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Confronto
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
32
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
32
Velocità di lettura, GB/s
11.7
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1990
2434
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Confronto tra le RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link