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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Puntuación global
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Puntuación global
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
31
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
3151
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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