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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Confronto
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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Motivi da considerare
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
31
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
24
Velocità di lettura, GB/s
11.7
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1990
3151
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Confronto tra le RAM
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Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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