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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Puntuación global
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
55
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
55
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
2185
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
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