RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Confronto
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
55
Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
9.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
55
Velocità di lettura, GB/s
11.7
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1990
2185
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Confronto tra le RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link