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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Puntuación global
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Puntuación global
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Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Razones a tener en cuenta
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.7 left arrow 10.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.2 left arrow 5.3
    Valor medio en las pruebas
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    31 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.7 left arrow 10.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.2 left arrow 5.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1990 left arrow 1740

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