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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Confronto
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Punteggio complessivo
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
5.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
31
Velocità di lettura, GB/s
11.7
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
5.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1990
1740
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Confronto tra le RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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