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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Compara
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Puntuación global
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
36
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
2734
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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